Dioda
adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 1 buah junction, sering
disebut sebagai komponen 2 lapis (lapis N dan P). Dioda merupakan suatu
semikonduktor yang hanya dapat menghantar arus listrik dan tegangan pada satu
arah saja. Bahan pokok untuk pembuatan dioda adalah Germanium (Ge) dan
Silikon/Silsilum (Si). Diode secara simbol dan bentuk fisik diode dapat
digambarkan sebagai berikut.
Bias diode adalah cara pemberian
tegangan luar ke terminal dioda. Apabila A diberi tegangan positif dan K diberi
tegangan negative maka bias tersebut dikatakan bias maju (forward bias). Pada
kondisi bias ini akan terjadi aliran arus dengan ketentuan beda tegangan yang
diberikan ke diode atau VA-VK > Vj dan selalu positif. Sebaliknya apabila A
diberi tegangan negative dan K diberi tegangan positif, arus yang mengalir (IR)
jauh lebih kecil dari pada kondisi bias maju. Bias ini dinamakan bias mundur
(reverse bias) pada arus maju (IF) diperlakukan baterai tegangan yang diberikan
dengan IF tidak terlalu besar maupun tidak ada peningkatan IR yang cukup
significant.
Dimana :
εj = medan listrik yang ada
dijunction
ε = medan lisrik sumber bias dari
luar (medan luar)
Apabila
ε > εj maka akan terjadi arus difusi didalam diode untuk hole dari P ke N
untuk electron dari N ke P. Arus difusi didalam diode tersebut diimbangi oleh
aliran arus listrik dari kutub positif sumber ke diode dan berakhir ke kutub
negative sumber. Dikatakan diode menghantar pada kondisi tegangan anode-katoda
berkisar Vji yang disebut dengan cut in thereshold untuk Si Vji 0.6 – 0.7v Ge
0.3 – 0.4 Lazimnya tegangan anode-katode sedikit diatas Vji. Pada bias positif,
diode bersifat serupa. konduktor dengan nilai hambatan yang disebut hambatan
maju (RF). Nilai RF=RP+RN , RP dan RN disebut hambatan bulk.
Karakteristik arus tegangan diode
dapat ditinjau melalui 2 pendekatan :
1. DiodaIdeal
2. Dioda Riil
Disini dioda dimodelkan sebagai
saklar ideal yaitu suatu saklar yang memiliki cirri untuk kondisi tertutup R=0
dan untuk kondisi terbuka R= ~ . Untuk bias negative diode dianggap sebagai
isolator dengan nilai hambatan RR >> RF. Pada model ini untuk bias
positif sebagai saklar tertutup (on) dan pada bias negative sebagai saklar
terbuka (off), kedua kondisi bias dilukiskan pada grafik I/V.
Model
kedua adalah untuk bias positif sebagai saklar non-ideal pada kondisi tertutup
R≠0. Untuk bias negative sebagai saklar ideal. Kedua bias tersebut dilukiskan
sebagai berikut :
Untuk
model ketiga bias positif sebagai saklar non-ideal yang tertutup terpasang seri
dengan sumber tegangan Vji. Untuk bias negative sebagai saklar ideal terbuka
dengan grafik sebagai berikut :
Untuk
model ketiga bias positif sebagai saklar non-ideal yang tertutup terpasang seri
dengan sumber tegangan Vji. Untuk bias negative sebagai saklar ideal terbuka
dengan grafik sebagai berikut :
Dioda
Riil model diode riil, didekati oleh pendekatan ke-3 dari diode ideal dengan
pendekatan tambahan, pada bias negative nilai RR≠ ~ sehingga terjadi arus
reverse yang disebut arus bocor atau arus saturasi. Umumnya dalam orde
nanoampere. Ditulis sebagai IB atau IS, arus IS, dipandang sebagai gerakan
pembawa minoritas nilai IS berubah terhadap suhu atau IS = aT3.
Untuk bias positif terjadi hubungan eksponensial antara arus dan tegangan. ID ≈
e V/VT , VT=tegangan termal = kT/g. Grafik karakteristik diode riil digambarkan
sebagai berikut :
Pada
nilai VR = VBVO, terjadi peningkatan IS yang luar biasa besarnya. Arus diode
pada kondisi riil, umumnya dinyatakan sebagai berikut : ID=IS(eV/VT – 1)
Sumber : http://elektronika-dasar.web.id/teori-elektronika/konsep-dasar-diode/
No comments:
Post a Comment